HYB25D512800CE-6

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Numero parte HYB25D512800CE-6
LIXINC Part # HYB25D512800CE-6
Produttore
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HYB25D512800CE-6 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
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HYB25D512800CE-6 Specifiche

Numero parte:HYB25D512800CE-6
Marca:
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - DDR
Dimensione della memoria:512Mb (64M x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:166 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:2.3V ~ 2.7V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:66-TSOP II

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