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Numero parte | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
LIXINC Part # | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
Produttore | Micron Technology |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Micron Technology |
serie: | Automotive, AEC-Q100 |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | DRAM |
tecnologia: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria: | 8Gb (256M x 32) |
interfaccia di memoria: | - |
frequenza di clock: | 2.133 GHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | - |
tensione - alimentazione: | 1.1V |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 95°C (TC) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 200-WFBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 200-WFBGA (10x14.5) |
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In magazzino | 10881 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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