TH58BVG2S3HBAI4

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Numero parte TH58BVG2S3HBAI4
LIXINC Part # TH58BVG2S3HBAI4
Produttore Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TH58BVG2S3HBAI4 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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TH58BVG2S3HBAI4 Specifiche

Numero parte:TH58BVG2S3HBAI4
Marca:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:Benand™
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:FLASH
tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)
interfaccia di memoria:-
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:25ns
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:63-VFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:63-TFBGA (9x11)

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