CY7C1312BV18-167BZI

CY7C1312BV18-167BZI
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Numero parte CY7C1312BV18-167BZI
LIXINC Part # CY7C1312BV18-167BZI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY7C1312BV18-167BZI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Nov 01 - Nov 05 2024(Scegli spedizione rapida)
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CY7C1312BV18-167BZI Specifiche

Numero parte:CY7C1312BV18-167BZI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria:18Mb (1M x 18)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:167 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-FBGA (13x15)

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