CYD18S18V18-200BBAXI

CYD18S18V18-200BBAXI
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Numero parte CYD18S18V18-200BBAXI
LIXINC Part # CYD18S18V18-200BBAXI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CYD18S18V18-200BBAXI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CYD18S18V18-200BBAXI Specifiche

Numero parte:CYD18S18V18-200BBAXI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria:18Mb (1M x 18)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:200 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:3.3 ns
tensione - alimentazione:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:256-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:256-FBGA (17x17)

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