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TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6
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Numero parte TC58BYG2S0HBAI6
LIXINC Part # TC58BYG2S0HBAI6
Produttore Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoria circuiti integrati › memoria
Descrizione IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TC58BYG2S0HBAI6 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TC58BYG2S0HBAI6 Specifiche

Numero parte:TC58BYG2S0HBAI6
Marca:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:Benand™
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:FLASH
tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:25ns
tempo di accesso:25 ns
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:67-VFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG2S0HBAI6 Documenti

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