MT58V1MV18DT-7.5

MT58V1MV18DT-7.5
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Numero parte MT58V1MV18DT-7.5
LIXINC Part # MT58V1MV18DT-7.5
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT58V1MV18DT-7.5 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 29 - Nov 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT58V1MV18DT-7.5 Specifiche

Numero parte:MT58V1MV18DT-7.5
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:SYNCBURST™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM
Dimensione della memoria:18Mb (1M x 18)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:133 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:4.2 ns
tensione - alimentazione:3.135V ~ 3.465V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:100-LQFP
pacchetto del dispositivo del fornitore:100-TQFP (14x20.1)

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