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Numero parte | BQ4010MA-200 |
LIXINC Part # | BQ4010MA-200 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BQ4010MA-200 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 29 - Nov 02 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BQ4010MA-200 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Non-Volatile |
formato di memoria: | NVSRAM |
tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria: | 64Kb (8K x 8) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 200ns |
tempo di accesso: | 200 ns |
tensione - alimentazione: | 4.75V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
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In magazzino | 13176 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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