CY7C1480BV33167BZI

CY7C1480BV33167BZI
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Numero parte CY7C1480BV33167BZI
LIXINC Part # CY7C1480BV33167BZI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione CACHE SRAM, 2MX36, 3.4NS
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY7C1480BV33167BZI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 19 - Oct 23 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CY7C1480BV33167BZI Specifiche

Numero parte:CY7C1480BV33167BZI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria:72Mb (2M x 36)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:167 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:3.4 ns
tensione - alimentazione:3.135V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-FBGA (15x17)

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