TH58NVG2S3HBAI6

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Numero parte TH58NVG2S3HBAI6
LIXINC Part # TH58NVG2S3HBAI6
Produttore Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TH58NVG2S3HBAI6 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 17 - Oct 21 2024(Scegli spedizione rapida)
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TH58NVG2S3HBAI6 Specifiche

Numero parte:TH58NVG2S3HBAI6
Marca:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:FLASH
tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:25ns
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:63-BGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:63-BGA (9x11)

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