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Numero parte | CYATB108LD-ZS45XI |
LIXINC Part # | CYATB108LD-ZS45XI |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CYATB108LD-ZS45XI Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | CYATB108LD-ZS45XI |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Non-Volatile |
formato di memoria: | NVSRAM |
tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria: | 8Mb (1M x 8) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 45ns |
tempo di accesso: | 45 ns |
tensione - alimentazione: | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 44-TSOP II |
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In magazzino | 10926 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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