MT54V512H18EF-6

MT54V512H18EF-6
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Numero parte MT54V512H18EF-6
LIXINC Part # MT54V512H18EF-6
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione QDR SRAM, 512KX18, 2.5NS PBGA165
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT54V512H18EF-6 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT54V512H18EF-6 Specifiche

Numero parte:MT54V512H18EF-6
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:*
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di memoria:-
formato di memoria:-
tecnologia:-
Dimensione della memoria:-
interfaccia di memoria:-
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:-
pacchetto/caso:-
pacchetto del dispositivo del fornitore:-

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