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NUS5530MNR2G

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Numero parte NUS5530MNR2G
LIXINC Part # NUS5530MNR2G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discreto › transistor - scopo speciale
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NUS5530MNR2G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NUS5530MNR2G Specifiche

Numero parte:NUS5530MNR2G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - scopo speciale
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN, P-Channel
applicazioni:General Purpose
tensione - nominale:35V PNP, 20V P-Channel
corrente nominale (ampere):2A PNP, 3.9A P-Channel
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-VDFN Exposed Pad
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-DFN-EP (3.3x3.3)

NUS5530MNR2G Documenti

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