FGP10N60UNDF

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Numero parte FGP10N60UNDF
LIXINC Part # FGP10N60UNDF
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT NPT 600V 20A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FGP10N60UNDF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FGP10N60UNDF Specifiche

Numero parte:FGP10N60UNDF
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:NPT
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):20 A
corrente - collettore pulsato (icm):30 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 10A
potenza - max:139 W
energia di commutazione:150µJ (on), 50µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:37 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:8ns/52.2ns
condizione di test:400V, 10A, 10Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):37.7 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3

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