STGB30H65DFB2

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Numero parte STGB30H65DFB2
LIXINC Part # STGB30H65DFB2
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STGB30H65DFB2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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STGB30H65DFB2 Specifiche

Numero parte:STGB30H65DFB2
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:STMicroelectronics
serie:HB2
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):50 A
corrente - collettore pulsato (icm):90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 30A
potenza - max:167 W
energia di commutazione:270µJ (on), 310µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:90 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:18.4ns/71ns
condizione di test:400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):115 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK-3

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