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Numero parte | RGT8NS65DGC9 |
LIXINC Part # | RGT8NS65DGC9 |
Produttore | ROHM Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - igbt - singolo |
Descrizione | IGBT |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RGT8NS65DGC9 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | RGT8NS65DGC9 |
Marca: | ROHM Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - igbt - singolo |
Produttore: | ROHM Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo igbt: | Trench Field Stop |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 650 V |
corrente - collettore (ic) (max): | 8 A |
corrente - collettore pulsato (icm): | 12 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
potenza - max: | 65 W |
energia di commutazione: | - |
tipo di ingresso: | Standard |
carica di cancello: | 13.5 nC |
td (acceso/spento) @ 25°c: | 17ns/69ns |
condizione di test: | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
tempo di ripristino inverso (trr): | 40 ns |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-262 |
NGTB40N120SWG | IGBT | 2704 Maggiori informazioni su Ordine |
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NGTB30N135IHRWG | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 65917 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11941 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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