RGT8NS65DGC9

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Numero parte RGT8NS65DGC9
LIXINC Part # RGT8NS65DGC9
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RGT8NS65DGC9 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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RGT8NS65DGC9 Specifiche

Numero parte:RGT8NS65DGC9
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):8 A
corrente - collettore pulsato (icm):12 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
potenza - max:65 W
energia di commutazione:-
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:13.5 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:17ns/69ns
condizione di test:400V, 4A, 50Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):40 ns
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-262

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