FGD3N60UNDF

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Numero parte FGD3N60UNDF
LIXINC Part # FGD3N60UNDF
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT 600V 6A 60W DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FGD3N60UNDF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 11 - Sep 15 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FGD3N60UNDF Specifiche

Numero parte:FGD3N60UNDF
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo igbt:NPT
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):6 A
corrente - collettore pulsato (icm):9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.52V @ 15V, 3A
potenza - max:60 W
energia di commutazione:52µJ (on), 30µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:1.6 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:5.5ns/22ns
condizione di test:400V, 3A, 10Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):21 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252, (D-Pak)

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