IGP01N120H2XKSA1

IGP01N120H2XKSA1
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Numero parte IGP01N120H2XKSA1
LIXINC Part # IGP01N120H2XKSA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IGP01N120H2XKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
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IGP01N120H2XKSA1 Specifiche

Numero parte:IGP01N120H2XKSA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):1.2 V
corrente - collettore (ic) (max):3.2 A
corrente - collettore pulsato (icm):3.5 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 1A
potenza - max:28 W
energia di commutazione:140µJ
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:8.6 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:13ns/370ns
condizione di test:800V, 1A, 241Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220-3

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