STG3P2M10N60B

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Numero parte STG3P2M10N60B
LIXINC Part # STG3P2M10N60B
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STG3P2M10N60B Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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STG3P2M10N60B Specifiche

Numero parte:STG3P2M10N60B
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:STMicroelectronics
serie:SEMITOP®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:-
configurazione:Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):19 A
potenza - max:56 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 7A
corrente - taglio collettore (max):10 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:0.72 nF @ 25 V
ingresso:Single Phase Bridge Rectifier
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:SEMITOP®2
pacchetto del dispositivo del fornitore:SEMITOP®2

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