APTGV50H120T3G

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Numero parte APTGV50H120T3G
LIXINC Part # APTGV50H120T3G
Produttore Microsemi
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD APTGV50H120T3G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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APTGV50H120T3G Specifiche

Numero parte:APTGV50H120T3G
Marca:Microsemi
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:Microsemi
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:NPT, Trench Field Stop
configurazione:Full Bridge Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):75 A
potenza - max:270 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 50A
corrente - taglio collettore (max):250 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:3.6 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:SP3
pacchetto del dispositivo del fornitore:SP3

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