APTGT75H60T2G

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Numero parte APTGT75H60T2G
LIXINC Part # APTGT75H60T2G
Produttore Microsemi
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 600V 100A 250W SP2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD APTGT75H60T2G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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APTGT75H60T2G Specifiche

Numero parte:APTGT75H60T2G
Marca:Microsemi
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:Microsemi
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
configurazione:Full Bridge Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):100 A
potenza - max:250 W
vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 75A
corrente - taglio collettore (max):250 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:4.62 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:SP2
pacchetto del dispositivo del fornitore:SP2

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