A1P25S12M3-F

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Numero parte A1P25S12M3-F
LIXINC Part # A1P25S12M3-F
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD A1P25S12M3-F Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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A1P25S12M3-F Specifiche

Numero parte:A1P25S12M3-F
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:STMicroelectronics
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
configurazione:Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):25 A
potenza - max:197 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 25A
corrente - taglio collettore (max):100 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:1550 pF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:ACEPACK™ 1

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