A1P50S65M2-F | STMicroelectronics A1P50S65M2-F | A1P50S65M2-F Inventory, Best Pricing

A1P50S65M2-F

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Numero parte	A1P50S65M2-F
LIXINC Part #	A1P50S65M2-F
Produttore	STMicroelectronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	A1P50S65M2-F Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

A1P50S65M2-F Specifiche

Numero parte:	A1P50S65M2-F
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	STMicroelectronics
serie:	-
pacchetto:	Tray
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):	650 V
corrente - collettore (ic) (max):	50 A
potenza - max:	208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
corrente - taglio collettore (max):	100 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	4.15 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	ACEPACK™ 1

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FF600R12KE4BOSA1	IGBT MODULE 1200V 600A	914 Maggiori informazioni su Ordine
FS200R07N3E4RB11BOSA1	IGBT MOD 650V 200A 600W	925 Maggiori informazioni su Ordine
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