F3L200R12W2H3B11BPSA1

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Numero parte F3L200R12W2H3B11BPSA1
LIXINC Part # F3L200R12W2H3B11BPSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 1200V 100A 600W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD F3L200R12W2H3B11BPSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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F3L200R12W2H3B11BPSA1 Specifiche

Numero parte:F3L200R12W2H3B11BPSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:-
configurazione:Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):100 A
potenza - max:600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:1.75V @ 15V, 100A
corrente - taglio collettore (max):1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:11.5 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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