FZ1800R12HE4B9HOSA2

FZ1800R12HE4B9HOSA2
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Numero parte FZ1800R12HE4B9HOSA2
LIXINC Part # FZ1800R12HE4B9HOSA2
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 1200V 2735A
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FZ1800R12HE4B9HOSA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FZ1800R12HE4B9HOSA2 Specifiche

Numero parte:FZ1800R12HE4B9HOSA2
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
configurazione:Single Switch
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):2735 A
potenza - max:11000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 1800A
corrente - taglio collettore (max):5 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:110 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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