FP25R12KE3BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FP25R12KE3BOSA1 | FP25R12KE3BOSA1 Inventory, Best Pricing

FP25R12KE3BOSA1

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Numero parte	FP25R12KE3BOSA1
LIXINC Part #	FP25R12KE3BOSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 1200V 40A 155W
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FP25R12KE3BOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FP25R12KE3BOSA1 Specifiche

Numero parte:	FP25R12KE3BOSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1200 V
corrente - collettore (ic) (max):	40 A
potenza - max:	155 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 25A
corrente - taglio collettore (max):	1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	1.8 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 125°C (TJ)
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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