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FS15R12YT3BOMA1

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Numero parte	FS15R12YT3BOMA1
LIXINC Part #	FS15R12YT3BOMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 1200V 25A 110W
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FS15R12YT3BOMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FS15R12YT3BOMA1 Specifiche

Numero parte:	FS15R12YT3BOMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pacchetto:	Tray
stato della parte:	Not For New Designs
tipo igbt:	-
configurazione:	Full Bridge Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1200 V
corrente - collettore (ic) (max):	25 A
potenza - max:	110 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 15A
corrente - taglio collettore (max):	5 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	1.1 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 125°C
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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