IRL8113S

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Numero parte IRL8113S
LIXINC Part # IRL8113S
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRL8113S Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRL8113S Specifiche

Numero parte:IRL8113S
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:105A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:6mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.25V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2840 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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