PH5330E,115

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Numero parte PH5330E,115
LIXINC Part # PH5330E,115
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PH5330E,115 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PH5330E,115 Specifiche

Numero parte:PH5330E,115
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:NXP Semiconductors
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:5.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2010 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):62.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:LFPAK56, Power-SO8
pacchetto/caso:SC-100, SOT-669

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