IXFT9N80Q

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Numero parte IXFT9N80Q
LIXINC Part # IXFT9N80Q
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 9A TO268
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXFT9N80Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXFT9N80Q Specifiche

Numero parte:IXFT9N80Q
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:HiPerFET™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.1Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 2.5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2200 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):180W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-268
pacchetto/caso:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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