NTD18N06L

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Numero parte NTD18N06L
LIXINC Part # NTD18N06L
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NTD18N06L Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 15 - Sep 19 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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NTD18N06L Specifiche

Numero parte:NTD18N06L
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:65mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 5 V
vgs (massimo):±15V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:675 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 55W (Tj)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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