PHM12NQ20T,518

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Numero parte PHM12NQ20T,518
LIXINC Part # PHM12NQ20T,518
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PHM12NQ20T,518 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PHM12NQ20T,518 Specifiche

Numero parte:PHM12NQ20T,518
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:NXP Semiconductors
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:130mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1230 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):62.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-HVSON (6x5)
pacchetto/caso:8-VDFN Exposed Pad

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