BS108/01,126

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Numero parte BS108/01,126
LIXINC Part # BS108/01,126
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BS108/01,126 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BS108/01,126 Specifiche

Numero parte:BS108/01,126
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:NXP Semiconductors
serie:-
pacchetto:Tape & Box (TB)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:300mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.8V
rds su (max) @ id, vgs:5Ohm @ 100mA, 2.8V
vgs(th) (massimo) @ id:1.8V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:120 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-92-3
pacchetto/caso:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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