STB25NM60N-1

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Numero parte STB25NM60N-1
LIXINC Part # STB25NM60N-1
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STB25NM60N-1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
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STB25NM60N-1 Specifiche

Numero parte:STB25NM60N-1
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:MDmesh™ II
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:21A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:84 nC @ 10 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):160W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I2PAK
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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