NTD4959N-35G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTD4959N-35G

NTD4959N-35G

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Numero parte	NTD4959N-35G
LIXINC Part #	NTD4959N-35G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTD4959N-35G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTD4959N-35G Specifiche

Numero parte:	NTD4959N-35G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta), 58A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 11.5V
rds su (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 11.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1456 pF @ 12 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.3W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	I-PAK
pacchetto/caso:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

HUFA76409D3	MOSFET N-CH 60V 18A IPAK	941 Maggiori informazioni su Ordine
SIR814DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8	900 Maggiori informazioni su Ordine
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