RDX120N50FU6

RDX120N50FU6
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Numero parte RDX120N50FU6
LIXINC Part # RDX120N50FU6
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 500V 12A TO220FM
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RDX120N50FU6 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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RDX120N50FU6 Specifiche

Numero parte:RDX120N50FU6
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:500mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1600 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220FM
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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