RJL5012DPE-00#J3

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Numero parte RJL5012DPE-00#J3
LIXINC Part # RJL5012DPE-00#J3
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RJL5012DPE-00#J3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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RJL5012DPE-00#J3 Specifiche

Numero parte:RJL5012DPE-00#J3
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:700mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:27.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1050 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-LDPAK
pacchetto/caso:SC-83

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