IRF6710S2TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF6710S2TRPBF | IRF6710S2TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF6710S2TRPBF

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Numero parte	IRF6710S2TRPBF
LIXINC Part #	IRF6710S2TRPBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF6710S2TRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Aug 12 - Aug 16 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF6710S2TRPBF Specifiche

Numero parte:	IRF6710S2TRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta), 37A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.4V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1190 pF @ 13 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.8W (Ta), 15W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DIRECTFET S1
pacchetto/caso:	DirectFET™ Isometric S1

SI3867DV-T1-GE3	MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP	875 Maggiori informazioni su Ordine
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PHD14NQ20T,118	MOSFET N-CH 200V 14A DPAK	993 Maggiori informazioni su Ordine
IPD04N03LA G	MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3	823 Maggiori informazioni su Ordine
FQPF10N60CT	MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F	901 Maggiori informazioni su Ordine
SIA450DJ-T1-E3	MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAK	943 Maggiori informazioni su Ordine
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