NP82N055PUG-E1-AY

NP82N055PUG-E1-AY
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Numero parte NP82N055PUG-E1-AY
LIXINC Part # NP82N055PUG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 82A TO263
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NP82N055PUG-E1-AY Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
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NP82N055PUG-E1-AY Specifiche

Numero parte:NP82N055PUG-E1-AY
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:82A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:5.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:160 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:9600 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 143W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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