2N6661JTXV02

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Numero parte 2N6661JTXV02
LIXINC Part # 2N6661JTXV02
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2N6661JTXV02 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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2N6661JTXV02 Specifiche

Numero parte:2N6661JTXV02
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):90 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:860mA (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:50 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):725mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-39
pacchetto/caso:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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