IPW65R045C7300XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPW65R045C7300XKSA1 | IPW65R045C7300XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW65R045C7300XKSA1

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Numero parte	IPW65R045C7300XKSA1
LIXINC Part #	IPW65R045C7300XKSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPW65R045C7300XKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPW65R045C7300XKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPW65R045C7300XKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ C7
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	46A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 1.25mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	93 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4.34 nF @ 400 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	227W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO247
pacchetto/caso:	TO-247-3

SPD11N10	MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3	867 Maggiori informazioni su Ordine
IRFBC30LPBF	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO262-3	971 Maggiori informazioni su Ordine
IPB04N03LB	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	898 Maggiori informazioni su Ordine
AO4488L_101	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC	814 Maggiori informazioni su Ordine
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