IRF7739L2TR1PBF

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Numero parte IRF7739L2TR1PBF
LIXINC Part # IRF7739L2TR1PBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF7739L2TR1PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRF7739L2TR1PBF Specifiche

Numero parte:IRF7739L2TR1PBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:46A (Ta), 375A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1mOhm @ 160A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:330 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:11880 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DIRECTFET L8
pacchetto/caso:DirectFET™ Isometric L8

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