IRF7811WGTRPBF

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Numero parte IRF7811WGTRPBF
LIXINC Part # IRF7811WGTRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF7811WGTRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRF7811WGTRPBF Specifiche

Numero parte:IRF7811WGTRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V
rds su (max) @ id, vgs:12mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2335 pF @ 16 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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