R6025FNZ1C9

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Numero parte R6025FNZ1C9
LIXINC Part # R6025FNZ1C9
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD R6025FNZ1C9 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
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R6025FNZ1C9 Specifiche

Numero parte:R6025FNZ1C9
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:25A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:85 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3500 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247
pacchetto/caso:TO-247-3

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