SPB35N10 G

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Numero parte SPB35N10 G
LIXINC Part # SPB35N10 G
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPB35N10 G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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SPB35N10 G Specifiche

Numero parte:SPB35N10 G
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:44mOhm @ 26.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 83µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1570 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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