SPD08P06P

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Numero parte SPD08P06P
LIXINC Part # SPD08P06P
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPD08P06P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPD08P06P Specifiche

Numero parte:SPD08P06P
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.83A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:420 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):42W (Tc)
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO252-3
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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