NVMFS6B05NWFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS6B05NWFT3G

NVMFS6B05NWFT3G

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Numero parte	NVMFS6B05NWFT3G
LIXINC Part #	NVMFS6B05NWFT3G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 104A 5DFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NVMFS6B05NWFT3G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NVMFS6B05NWFT3G Specifiche

Numero parte:	NVMFS6B05NWFT3G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	114A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	44 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3100 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.8W (Ta), 165W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

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