APT10M09B2VFRG

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Numero parte APT10M09B2VFRG
LIXINC Part # APT10M09B2VFRG
Produttore Microsemi
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD APT10M09B2VFRG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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APT10M09B2VFRG Specifiche

Numero parte:APT10M09B2VFRG
Marca:Microsemi
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Microsemi
serie:POWER MOS V®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 2.5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:350 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:9875 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):625W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:T-MAX™ [B2]
pacchetto/caso:TO-247-3 Variant

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