SPP20N60C3HKSA1

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Numero parte SPP20N60C3HKSA1
LIXINC Part # SPP20N60C3HKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPP20N60C3HKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SPP20N60C3HKSA1 Specifiche

Numero parte:SPP20N60C3HKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.9V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:114 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):208W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220-3-1
pacchetto/caso:TO-220-3

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