IRF6620TR1PBF

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Numero parte IRF6620TR1PBF
LIXINC Part # IRF6620TR1PBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF6620TR1PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 09 - Jul 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRF6620TR1PBF Specifiche

Numero parte:IRF6620TR1PBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:27A (Ta), 150A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:2.7mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.45V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4130 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DIRECTFET™ MX
pacchetto/caso:DirectFET™ Isometric MX

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